化学汽相沉积设备

摘要

本发明的实施例一般涉及用于在基板上进行化学汽相沉积(CVD)的方法及设备，特定的是，涉及用于金属有机化学汽相沉积的工艺腔室及部件。该设备包括：腔室主体，界定工艺容积；喷洒头，位于第一平面，并界定该工艺容积的顶端部分；承载板，在第二平面而延伸跨越该工艺容积，并在该喷洒头与该基座板之间形成上方工艺容积；透明材料，位于第三平面，并界定该工艺容积的底端部分，而在该承载板与该透明材料之间形成下方工艺容积；以及多个灯，在该透明材料下方形成一或多个区域。该设备提供均一的前驱物流动及混合，并同时维持较大型基板上方的均一温度，因而使生产率有相应的提高。

主权项

一种用于化学汽相沉积的基板处理设备，包括：基座，所述基座适于支撑基板承载板，在所述基板承载板上放置多个基板；气体分配板，所述气体分配板界定工艺容积的顶端部分，用于使工艺气体流至所述多个基板的每一个；多个灯，所述多个灯位于所述基座的下方并且适于朝所述多个基板发出辐射热产生一个或更多个辐射加热区域，其中所述一个或多个辐射加热区域包括：内部辐射加热区域；中央辐射加热区域，所述中央辐射加热区域位于所述内部辐射加热区域的上方；和外部辐射加热区域，所述外部辐射加热区域位于所述中央辐射加热区域的上方，其中每一辐射加热区域包括灯的同中心的排列。