半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种具有半导体元件与被连接部件的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括以下工序：在表面形成有Ni层的所述被连接部件上配置Cu6Sn5相含量比共晶组成多的Sn-Cu钎料的工序；将所述Sn-Cu钎料加热及凝固，使Cu6Sn5化合物在所述Ni层上析出，由所述析出的Cu6Sn5化合物覆盖所述Ni层的至少一部分的工序。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，是具有半导体元件、支承电极和引线电极的半导体装置的制造方法，对所述支承电极实施了Ni类镀敷，通过在室温到200℃范围内含有Cu6Sn5相的Sn类钎料将所述支承电极与半导体元件的一侧相连接，对所述引线电极实施了Ni类镀敷，通过在室温到200℃范围内含有Cu6Sn5相的Sn类钎料将所述引线电极与所述支承电极上所支承的上述半导体元件的另一侧相连接，所述Sn类钎料中Cu6Sn5相含量比共晶组成多，使用在室温到200℃范围内含有Cu6Sn5相的Sn类钎料的连接工序是在220～450℃、还原性环境气体中进行的，从而使Cu6Sn5化合物在所述Ni类镀敷上析出。