固态发光半导体结构及其外延层成长方法

摘要

本发明公开一种固态发光半导体结构及其外延层成长方法。此方法包括：提供一基板。形成多个彼此互相间隔的凸出物于基板上。形成一缓冲层于此些凸出物上，并填满或部分填满此些凸出物彼此间的间隙。形成一半导体外延堆叠层于缓冲层上，半导体外延堆叠层包括依序形成的一第一型半导体层、一有源层以及一第二型半导体层。

主权项

一种固态发光半导体结构的外延层成长方法，包括：提供一基板；形成多个彼此互相间隔的凸出物于该基板上；形成一缓冲层于该些凸出物上，并填满或部分填满该些凸出物彼此间的间隙；以及形成一半导体外延堆叠层于该缓冲层上，该半导体外延堆叠层包括依序形成的一第一型半导体层、一有源层以及一第二型半导体层。