半导体器件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，该方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一介质层；在冗余金属区上的第一介质层表面形成刻蚀阻挡层；在第一介质层和刻蚀阻挡层表面形成第二介质层；刻蚀第一介质层、第二介质层和刻蚀阻挡层，以形成冗余金属槽和金属导线槽；在冗余金属槽和金属导线槽内以及介质层上沉积金属层；进行化学机械研磨工艺直至暴露出介质层的表面，以形成冗余金属和金属导线，所述冗余金属的高度小于所述金属导线的高度。本发明使冗余金属槽的深度小于金属导线槽的深度，与现有技术相比减小了冗余金属的厚度(高度)，可有效地减少冗余金属填充引入的金属层内和金属层间的耦合电容。

主权项

一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括冗余金属区和非冗余金属区；在所述半导体衬底上形成第一介质层；在所述冗余金属区上的第一介质层表面形成刻蚀阻挡层；在所述第一介质层和刻蚀阻挡层表面形成第二介质层；刻蚀所述第一介质层、第二介质层和刻蚀阻挡层，以形成冗余金属槽和金属导线槽，所述刻蚀阻挡层的刻蚀速率小于所述第一介质层和第二介质层的刻蚀速率，所述冗余金属槽的深度小于所述金属导线槽的深度；在所述冗余金属槽和金属导线槽内以及介质层上沉积金属层；进行化学机械研磨工艺直至暴露出所述介质层的表面，以形成冗余金属和金属导线，所述冗余金属的高度小于所述金属导线的高度。