MOS结构高精度电压基准源

摘要

本发明公开了一种MOS结构高精度电压基准源，包括电流产生电路、自偏置电路和BGR启动电路；所述BGR启动电路，用于启动所述自偏置电路；所述电流产生电路，用于产生偏置电流；所述自偏置电路连接所述电流产生电路，用于产生基准电压。本发明一种MOS结构高精度电压基准源，不包括三极管，只包括NMOS管、PMOS管和电阻，电路简单，容易实现，无需利用CMOS工艺中的寄生三极管，也无需带隙基准源要求的高增益运放，因而功耗低，占用面积小，并有两种基准选择。

主权项

一种MOS结构高精度电压基准源，其特征在于：包括电流产生电路（1）、自偏置电路（2）和BGR启动电路（3）；所述BGR启动电路（3），用于启动所述电流产生电路（1）或自偏置电路（2）；所述电流产生电路（1），用于产生偏置电流；所述自偏置电路（2）连接所述电流产生电路（1），用于产生基准电压；所述自偏置电路（2）由15个MOS管、电阻R1和电阻R2组成；PMOS管M16、M3、M4的源极和电阻R2的一端连接直流电源VDD，电阻R2的另一端连接PMOS管M7的源极；PMOS管M16的漏极和NMOS管M1的漏极连接所述电流产生电路（1）；NMOS管M1的漏极、NMOS管M2的栅极、NMOS管M13的栅极、NMOS管M11的栅极、NMOS管M14的栅极、NMOS管M12的栅极共接作为第一基准电压输出端（vb_mnl）；NMOS管M1的源极连接NMOS管M2的漏极，NMOS管M2的源极接公共地端VSS；PMOS管M3的漏极连接PMOS管M5的源极，PMOS管M5的漏极、NMOS管M8的漏极、NMOS管M8的栅极共接，NMOS管M8的源极与公共地端VSS之间设置一电阻R1；PMOS管M4的漏极连接PMOS管M6的源极；PMOS管M6的漏极、NMOS管M9的漏极和NMOS管M11的漏极共接；NMOS管M9的源极、NMOS管M11源极和NMOS管M13的漏极共接；NMOS管M13的源极接公共地端VSS；PMOS管M7的漏极、NMOS管M10的漏极和NMOS管M12的漏极共接；NMOS管M10的源极、NMOS管M12源极和NMOS管M14的漏极共接；NMOS管M14的源极接公共地端VSS；PMOS管M16的栅极、PMOS管M3的栅极、PMOS管M4的栅极、PMOS 管M6的漏极共接；PMOS管M5的栅极、PMOS管M6的栅极、PMOS管M7的栅极、PMOS管M7的漏极共接；NMOS管M1的栅极、NMOS管M8的栅极、NMOS管M9的栅极、NMOS管M10的栅极共接作为第二基准电压输出端（vb_mnh）。