EEPROM器件的制作方法

摘要

本发明公开了一种EEPROM器件的制作方法，其中依次包括有如下步骤：首先，生长一层高压井注入的牺牲氧化层，形成高压井注入；然后，去除该牺牲氧化层，生长高压栅氧化层、形成隧穿窗口；之后，淀积浮栅，在逻辑区刻蚀掉浮栅，再淀积ONO(氧化硅/氮化硅/氧化硅)介质层，在逻辑区刻蚀掉ONO的上层氧化层以及氮化层，留下的底层氧化层作为低压井注入的阻挡层，形成低压井注入，并制作低压器件，在逻辑区刻蚀掉ONO；最后，生长5V栅氧化层。本发明通过上述方法，避免了低压器件的沟道注入受到高压栅氧生长的影响而耗尽，从而增强了低压器件的阈值电压可调节性，并且直接采用ONO介质层的氧化硅层作为低压井注入的牺牲氧化层，简化了工艺步骤。

主权项

一种EEPROM器件的制作方法，其特征在于，其中依次包括有如下步骤：首先，生长一层高压井注入的牺牲氧化层，形成位于P型衬底中的高压井注入；然后，去除该牺牲氧化层，生长高压栅氧化层，在高压井注入上方的高压栅氧化层中形成隧穿窗口；之后，淀积浮栅，在位于高压井注入区域外侧的逻辑区刻蚀掉浮栅，再淀积ONO介质层，在逻辑区刻蚀掉ONO介质层的位于上层的氧化硅层和中间的氮化硅层，留下的底层的氧化硅层；最后，将逻辑区未刻蚀掉的ONO介质层中的位于底层的氧化硅层作为逻辑区内低压井注入的牺牲氧化层，形成低压井注入，并制作低压器件。