发明名称 |
一种电压斜率变化检测电路 |
摘要 |
本实用新型公开了一种电压斜率变化检测电路,其利用电容冲放电时dV/dT变化的斜率来提取冲放电电流,再将此电流同一基准电流相比较,从而检测出dV/dT发生变化时所对应的时刻,由此可以实现当电压斜率发生较大变化时,将变化的突变时刻检测出来。此电压斜率变化检测电路可以用于,但不仅限于用于,原边控制无光耦反馈的反激式(Flyback)开关电源二次侧电感电流过零检测。 |
申请公布号 |
CN202794316U |
申请公布日期 |
2013.03.13 |
申请号 |
CN201220428464.9 |
申请日期 |
2012.08.27 |
申请人 |
上海占空比电子科技有限公司 |
发明人 |
陶志波;张义;王虎刚;其他发明人请求不公开姓名 |
分类号 |
G01R19/175(2006.01)I |
主分类号 |
G01R19/175(2006.01)I |
代理机构 |
上海精晟知识产权代理有限公司 31253 |
代理人 |
何新平 |
主权项 |
一种电压斜率变化检测电路,包括:一电容、一PMOS电压跟随器、一对NMOS电流管、一电流基准和一反相器,所述一对NMOS电流管包括:电流镜主管NMOS和电流镜镜像管NMOS;其特征在于,所述检测电路的整体电路结构为:电容的一端接电源VCC或地,另一端接PMOS管的源极,PMOS管的栅极接输入电压,PMOS管的漏极接电流镜主管NMOS的漏极,电流镜主管NMOS的源极接地,电流镜主管NMOS的栅极接电流镜主管NMOS的漏极和电流镜镜像管NMOS的栅极,电流镜镜像管NMOS的源极接地,电流镜镜像管NMOS的漏极接电流基准的一端,电流基准的另一端接电源VCC,电流镜镜像管NMOS的漏极同时接反相器的输入端,反相器的输出端接输出信号。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区上海市张江高科技园区龙东大道3000号1幢A楼607室 |