| 发明名称 | 图形化传输层、包含该图形化传输层的OLED器件及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种图形化传输层、包含该图形化传输层的OLED器件及制备方法，其中图形化传输层包括导电的高折射率区域和导电的低折射率区域，所述高折射率区域与所述低折射率区域的折射率的差值＞0.2，该图形化传输层设置于OLED器件的第一电极和有机电致发光层之间，可以有效减少OLED器件的光全反射的量，提高了OLED器件的光取出效率，并且本发明提供的方法实施简单，易于集成，效果明显。 | ||
| 申请公布号 | CN102969453A | 申请公布日期 | 2013.03.13 |
| 申请号 | CN201210337586.1 | 申请日期 | 2012.09.13 |
| 申请人 | 昆山维信诺显示技术有限公司;清华大学;北京维信诺科技有限公司 | 发明人 | 邱勇;段炼;张国辉;王静;董艳波 |
| 分类号 | H01L51/50(2006.01)I;H01L51/52(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人 | 张建纲 |
| 主权项 | 一种图形化传输层，其特征在于：所述图形化传输层包括导电的高折射率区域和导电的低折射率区域，所述高折射率区域与所述低折射率区域的折射率的差值＞0.2。 | ||
| 地址 | 215300 江苏省苏州市昆山市昆山高新区晨丰路188号 | ||