一种功率器件的制作方法

摘要

一种功率器件的制作方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明利用LOCOS（局部氧化）工艺来生长场氧化层来制作功率器件（尤其是终端结构），利用硅与氮化硅同氧气的反应速度的差异来局部生长场氧化层，在场氧边缘处会形成一个鸟嘴状的平缓台阶，这有利于后续薄膜的覆盖，利于提高器件（尤其是终端部分）的可靠性，制作过程中可以通过控制反应时间、反应温度和反应气体比例来控制氧化层的厚度及边缘鸟嘴区宽度，因此还有利于图形精度的提高。

主权项

一种功率器件的制作方法，包括以下步骤：1）硅片去除自然氧化层；2）在硅片表面热生长一层垫氧缓冲层；3）沉积氧化阻挡层；4）光刻氧化阻挡层；5）氧化生长场氧化层；6）去除氧化阻挡层；7）场限环注入并退火；8）有源区刻蚀并注入；9）热氧化生长栅氧化层；10）沉积多晶硅栅；11）光刻多晶硅栅；12）基区注入并退火；13）源区注入并退火；14）沉积介质层；15）刻蚀接触孔；16）体区注入并退火；17）沉积正面金属；18）刻蚀正面金属；19）沉积钝化层；20）刻蚀PAD孔；21）背面工艺。