发明名称 高线性度可编程跨导放大器电路
摘要 本实用新型涉及一种高线性度可编程跨导放大器电路,其包括PMOS电流镜电路及差分输入对;所述差分输入对包括第一MOS管及第二MOS管;所述第一MOS管的源极端通过第一源极电阻与第五MOS管的漏极端相连,且第二MOS管的源极端通过第二源极电阻与第五MOS管的漏极端相连;第五MOS管的栅极端与第六MOS管的栅极端、第六MOS管的源极端相连,第六MOS管的漏极端接地,第五MOS管的源极端与第八MOS管的源极端相连,第八MOS管的栅极端与第七MOS管的栅极端、第七MOS管的源极端相连,第七MOS管、第八MOS管的漏极端均接地;第五MOS管、第八MOS管的源极端对应连接后与电流输入DAC电路相连。本实用新型结构紧凑,可用于各类模数混合信号中信号检测。
申请公布号 CN202798587U 申请公布日期 2013.03.13
申请号 CN201220365406.6 申请日期 2012.07.26
申请人 中国电子科技集团公司第五十八研究所 发明人 陈珍海;季惠才;吴俊;封晴;于宗光
分类号 H03F3/45(2006.01)I 主分类号 H03F3/45(2006.01)I
代理机构 无锡市大为专利商标事务所 32104 代理人 曹祖良
主权项 一种高线性度可编程跨导放大器电路,包括PMOS电流镜电路及差分输入对;所述差分输入对包括第一MOS管(M1)及第二MOS管(M2);其特征是:所述第一MOS管(M1)的源极端通过第一源极电阻(R1)与第五MOS管(M5)的漏极端相连,且第二MOS管(M2)的源极端通过第二源极电阻(R2)与第五MOS管(M5)的漏极端相连;第五MOS管(M5)的栅极端与第六MOS管(M6)的栅极端、第六MOS管(M6)的源极端相连,第六MOS管(M6)的漏极端接地,第五MOS管(M5)的源极端与第八MOS管(M8)的源极端相连,第八MOS管(M8)的栅极端与第七MOS管(M7)的栅极端、第七MOS管(M7)的源极端相连,第七MOS管(M7)、第八MOS管(M8)的漏极端均接地;第五MOS管(M5)、第八MOS管(M8)的源极端对应连接后与电流输入DAC电路(1)相连。
地址 214035 江苏省无锡市滨湖区惠河路5号