超高频硅锗异质结双极晶体管

摘要

本发明公开了一种超高频硅锗异质结双极晶体管，包括有一集电区、一基区和一发射区。集电区通过离子注入工艺形成于一N型深阱中，N型深阱是通过在硅半导体衬底上通过N型杂质离子注入形成的。集电区两侧由场氧化层隔离，在场氧化层中用刻蚀工艺开口形成一场氧化层深阱，一集电极通过氧化层深阱接触而引出。基区包括一本征基区和一外基区，由硅锗外延层形成，本征基区和集电区相连接。发射区形成于所述本征基区上并和所述本征基区相连接，由多晶硅外延层形成。本发明能大幅度的减少器件的面积，能够减少工艺成本。

主权项

一种超高频硅锗异质结双极晶体管，其特征在于：包含：一集电区，通过离子注入工艺形成于一N型深阱中，所述N型深阱是通过在硅半导体衬底上注入N型杂质离子而形成的，所述集电区两侧由场氧化层隔离，在场氧化层中用刻蚀工艺开口形成一场氧化层深阱，一集电极通过氧化层深阱接触而引出；一基区，包括一本征基区和一外基区，由硅锗外延层形成，所述本征基区和所述集电区相连接，所述外基区用于形成基区电极；一发射区，形成于所述本征基区上并和所述本征基区相连接，由多晶硅外延层形成。