| 发明名称 | 一种导电插塞的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种导电插塞的制造方法，通过在抗反射层上涂布预沾湿溶液，然后再在抗反射层上形成光刻胶，可以使形成的导电插塞的深宽比比较大，不容易发生导电插塞和导电层的短路。 | ||
| 申请公布号 | CN102054744B | 申请公布日期 | 2013.03.13 |
| 申请号 | CN200910198062.7 | 申请日期 | 2009.10.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 孙鹏;黄永彬;孙万峰 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种导电插塞的制造方法，包括：提供制造导电插塞的衬底，所述衬底包括第一导电层；在所述衬底上形成抗反射层，并在所述抗反射层上涂布预沾湿溶液，所述预沾湿溶液为OK73，所述OK73的成分为70％体积百分比的单甲基醚丙二醇和30％的丙二醇甲醚醋酸脂；在所述抗反射层上形成光刻胶层；图形化所述光刻胶层和抗反射层，并以图形化的所述光刻胶层和所述抗反射层为掩模进行湿刻蚀，直至露出所述第一导电层，从而形成通孔；在所述通孔内填充导电物质，从而形成导电插塞。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||