超声波辅助下油浴真空物理气相沉积多晶碘化汞厚膜的装置和方法

摘要

本发明涉及一种超声波辅助下油浴真空物理气相沉积多晶碘化汞厚膜的装置和方法，本装置包括油浴加热槽，厚膜原料蒸发管，基板温度控制仪，真空室，磨砂石英顶盖和超声波发生器；多晶碘化汞粉末放置于厚膜原料蒸发管的底部，多晶碘化汞粉末蒸发后即沉积于基片的下表面上。本方法为超声波辅助下油浴真空物理气相沉积法的改进。本发明装置结构简单、可重复使用、易于操作、生长腔体成本低廉，基板温度可精确控制；本发明方法制备得到的多晶碘化汞厚膜取向性高，致密性好，晶粒尺寸小，电学性能佳，为多晶碘化汞半导体辐射探测的制备打下了坚实的基础。

主权项

一种超声波辅助下油浴真空物理气相沉积多晶碘化汞厚膜的装置，其特征在于，包括油浴加热槽（2），厚膜原料蒸发管（3），基板温度控制仪（9），真空室（10），磨砂石英顶盖（8）和超声波发生器（11）；所述真空室（10）上部设有磨砂石英顶盖（8），其接合处由橡胶密封圈密封，下部连接厚膜原料蒸发管（3）；所述真空室（10）的直径大于厚膜原料蒸发管（3）的直径，在真空室（10）的底部与蒸发管（3）连接处的肩部形成—个圆形腔体平台，在该腔体平台上固定—个中间开有圆孔的隔热板（4），隔热板（4）上设置有—个沉积厚膜的基片（5）；基片（5）的直径小于真空室（10）的直径而大于厚膜原料蒸发管（3）的直径，所述基板温度控制仪（9）通过钨丝连接热电偶和加热引线，加热引线紧贴于基片（5）的上表面，通过对基板温度控制仪（9）程序的设定，实现温度的自动控制，从而对基片（5）实现平面接触加热，所述真空室（10）中部开有真空抽气口，该抽气口与真空抽气泵（7）相连接；在真空室（10）的外壁靠近基片（5）位置的上方安装有循环冷却水管（6），冷却水管（6）与外设的循环冷却水系统相连接；多晶碘化汞粉末（1）放置于厚膜原料蒸发管（3）的底部，多晶碘化汞粉末（1）蒸发后即沉积于基片（5）的下表面上；将厚膜原料蒸发管（3）放置于油浴加热槽（2）中进行加热，所述超声波发生器（11）插入油浴加热槽（2）中。