| 发明名称 | 改善锗硅或锗硅碳单晶与多晶交界面形貌的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种改善锗硅或锗硅碳单晶与多晶交界面形貌的方法，在形成有STI区域和有源区的硅片上进行锗硅或锗硅碳外延生长，外延生长过程中通入一定量的卤化氢气体，降低锗硅或锗硅碳在STI区域的生长速率，使锗硅或锗硅碳单晶与多晶交界面向STI区域推移。本发明能有效减少有源区面积的损失。 | ||
| 申请公布号 | CN102117741B | 申请公布日期 | 2013.03.13 |
| 申请号 | CN201010027233.2 | 申请日期 | 2010.01.06 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 刘继全;季伟 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 戴广志 |
| 主权项 | 一种改善锗硅或锗硅碳单晶与多晶交界面形貌的方法，其特征在于：在形成有STI区域和有源区的硅片上进行锗硅或锗硅碳外延生长，外延生长过程中通入一定量的卤化氢气体，降低锗硅或锗硅碳在STI区域的生长速率，使锗硅或锗硅碳单晶与多晶交界面向STI区域推移。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||