与处理变化无关的VDD独立振荡器

摘要

本发明公开了与处理变化无关的VDD独立振荡器，包括：正电源节点，用于提供正电源电压；以及恒定电流源，提供第一恒定电流并耦合至正电源节点。第一恒定电流与正电源节点无关。该振荡器还包括：充电电流源，被配置为提供第二恒定电流以给电容器充电，其中，第二恒定电流是第一恒定电流的镜像。该振荡器还包括：恒定电流源反相器，具有作为第一恒定电流的镜像的第三恒定电流。恒定电流源反相器被配置为将振荡器控制到处于恒定状态转变电压的转变状态。

主权项

一种振荡器，包括：正电源节点，用于提供正电源电压；恒定电流源，提供第一恒定电流并耦合至所述正电源节点，其中，所述第一恒定电流与所述正电源节点无关；电容器；充电电流源，被配置为提供第二恒定电流以给所述电容器充电，其中，所述第二恒定电流是所述第一恒定电流的镜像；以及恒定电流源反相器，具有作为所述第一恒定电流的镜像的第三恒定电流，其中，所述恒定电流源反相器被配置为将所述振荡器控制为处于恒定状态转变电压的转变状态；其中，所述恒定电流源包括：第一PMOS晶体管M1，包括第一源极和连接至第一漏极的第一栅极；第二PMOS晶体管M2，包括连接至所述第一栅极的第二栅极和第二漏极；第一NMOS晶体管M3，包括第三栅极以及连接至所述第二漏极和所述第三栅极的第三漏极；以及第二NMOS晶体管M4，包括连接至所述第三栅极的第四栅极和连接至所述第一漏极的第四漏极；并且，恒定电流源还包括电阻器，用于调节第一PMOS晶体管M1和第二PMOS晶体管M2的源极‑漏极路径的电流；充电电流源包括晶体管Mp1，晶体管Mp1的栅极连接至晶体管M1的栅极，源极连接至电源电压，漏极连接至所述电容器；所述恒定电流源反相器包括：第一NMOS晶体管Mn2，被配置为当所述第一NMOS晶体管Mn2的栅极电压达到所述恒定状态转变电压时，改变状态，其中，所述第三恒定电流流过所述第一NMOS晶体管Mn2的源极‑漏极路径；PMOS晶体管Mp2，具有流过所述PMOS晶体管Mp2的源极‑漏极路径的所述第三恒定电流，所述第一NMOS晶体管Mn2的源极与所述PMOS晶体管Mp2的漏极连接，所述第一NMOS晶体管Mn2的栅极连接至所述电容器的一端；所述振荡器还包括：第二NMOS晶体管Mn1，具有连接至所述第一 NMOS晶体管Mn2的栅极的漏极，其中，所述第二NMOS晶体管Mn1被配置为对电容器进行放电；所述振荡器还包括：反相器INV1，输入端连接至PMOS晶体管Mp2的漏极，输出端连接至所述振荡器的输出；以及串联的反相器INV2和INV3，反相器INV3的输出端连接至第二NMOS晶体管Mn1的栅极，反相器INV2的输入端连接至所述振荡器的输出端。