一种小尺寸线端间距的形成方法

摘要

本发明提供一种小尺寸线端间距的形成方法，其包括在半导体衬底上，形成栅氧介质层、多晶硅层、中间层、第一硬掩膜层、第二硬掩膜层、第一底部抗反射层及第一光刻胶，并图形化第一光刻胶；刻蚀第一底部抗反射层和第二硬掩膜层，形成第二硬掩模图形；涂布第二抗反射层和第二光刻胶，并图形化第二光刻胶；修剪图形化的第二光刻胶，并旋涂一层介质层，然后，刻蚀修剪后的第二光刻胶以形成第二光刻沟槽图形，将第二光刻沟槽图形转移至第二硬掩膜图形中；将第二硬掩模膜图形转移到多晶硅层中，最终形成小尺寸线端间距的多晶硅栅。因此，通过本发明的方法，不仅避免了光刻线端效应，同时还可以获得某一小尺寸的线端间距，提高了半导体集成电路的密度。

主权项

一种小尺寸线端间距的形成方法，其特征在于，所述的方法包括如下步骤：步骤S1：在半导体衬底上，依序形成栅氧介质层、多晶硅层、中间层、第一硬掩膜层、第二硬掩膜层、第一底部抗反射层及第一光刻胶，并图形化所述第一光刻胶；步骤S2：刻蚀所述第一底部抗反射层和第二硬掩膜层，于所述第二硬掩膜层中形成第二硬掩模图形；步骤S3：在所述第二硬掩模图形上涂布第二底部抗反射层，其中，所述第二底部抗反射层完全覆盖于所述第二硬掩模图形上，以及于所述第二底部抗反射层上涂布第二光刻胶，并图形化所述第二光刻胶；步骤S4：修剪所述图形化的第二光刻胶，并于所述修剪后的第二光刻胶上旋涂一层介质层；步骤S5：去除所述修剪后的第二光刻胶以形成第二光刻沟槽图形，并将所述第二光刻沟槽图形传递至所述第二硬掩膜图形中；步骤S6：，经刻蚀最终形成小尺寸线端间距的多晶硅栅。