| 发明名称 | 后栅工艺中假栅的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种后栅工艺中假栅的制造方法，包括以下步骤：在衬底上依次形成假栅材料层、硬掩模材料层；刻蚀硬掩模材料层，形成上宽下窄的硬掩模图形；以硬掩模图形为掩模，干法刻蚀假栅材料层，形成上宽下窄的假栅。依照本发明的假栅制造方法，将之前垂直的假栅制作成上宽下窄的正梯形假栅；在假栅被移除后，可形成正梯形沟槽；从而大大有利于后续高K或是金属栅材料的填充，扩大填充工艺窗口，从而提高了器件的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN102969232A | 申请公布日期 | 2013.03.13 |
| 申请号 | CN201110257658.7 | 申请日期 | 2011.09.01 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 杨涛;赵超;闫江;李俊峰;卢一泓;陈大鹏 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种后栅工艺中假栅的制造方法，包括以下步骤：在衬底上依次形成假栅材料层、硬掩模材料层；刻蚀硬掩模材料层，形成上宽下窄的硬掩模图形；以硬掩模图形为掩模，干法刻蚀假栅材料层，形成上宽下窄的假栅。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3# | ||