半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底被划分成限定在第一方向上的单元区和外围电路区，其中，外围电路区被划分成限定在与第一方向实质正交的第二方向上的第一区和第二区；栅极线，所述栅极线被形成在单元区中的半导体衬底之上且被布置在第二方向上；以及电容器，所述电容器包括处在半导体衬底之上的下电极、电介质层和上电极，其中，第一区和第二区中的下电极在第一方向上相互间隔开且在第一区中相互耦接；电介质层沿着第二区中的下电极的表面形成；并且上电极被形成在电介质层之上。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底，在所述半导体衬底中在第一方向上限定有单元区和外围电路区，其中，所述外围电路区包括限定在与所述第一方向实质正交的第二方向上的第一区和第二区；栅极线，所述栅极线被形成在所述单元区中的半导体衬底之上并且被布置在所述第二方向上；以及电容器，所述电容器包括处在所述半导体衬底之上的下电极、电介质层和上电极，其中，所述第一区和所述第二区中的下电极在所述第一方向上相互间隔开并且在所述第一区中相互耦接；所述电介质层沿着所述第二区中的下电极的表面形成；并且所述上电极被形成在所述电介质层之上。