发明名称 |
GaInP/GaAs/InGaAs三结太阳能电池外延结构 |
摘要 |
本发明公开一种GaInP/GaAs/InGaAs三结太阳能电池外延结构,包括:衬底;在衬底上的腐蚀剥离层;在腐蚀剥离层上的GaInP第一子电池;在第一子电池上的第一隧穿结;在第一隧穿结上的GaAs第二子电池;在第二子电池上的晶格过渡层,该晶格过渡层的材料可以为AlInGaAs、GaInP、AlGaInP、GaInPAs、AlGaInAsP等任何晶格常数在0.5656nm-0.579nm之间,且同时禁带宽度Eg满足Eg>1.4eV的III-V族材料;在晶格过渡层上的第二隧穿结;和在第二隧穿结上的InGaAs第三子电池。与传统技术相比,本发明采用P型掺杂的晶格过渡层材料代替传统的N型掺杂的晶格过渡层材料,并且改变了第二隧穿结和晶格过渡层的生长顺序,这有利于降低InGaAs材料的线位错密度,提高InGaAs电池的开路电压,从而提高了整个三结太阳能电池的转换效率。 |
申请公布号 |
CN102969387A |
申请公布日期 |
2013.03.13 |
申请号 |
CN201210443733.3 |
申请日期 |
2012.11.08 |
申请人 |
王伟明;国电科技环保集团股份有限公司 |
发明人 |
王伟明;颜建;吴文俊;李华 |
分类号 |
H01L31/0725(2012.01)I |
主分类号 |
H01L31/0725(2012.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
孙纪泉 |
主权项 |
一种GaInP/GaAs/InGaAs三结太阳能电池外延结构,其特征在于,包括:衬底(101);在衬底(101)上的腐蚀剥离层(a);在腐蚀剥离层(a)上的GaInP第一子电池(b);在第一子电池(b)上的第一隧穿结(c);在第一隧穿结(c)上的GaAs第二子电池(d);在第二子电池(d)上的晶格过渡层(e),其中该晶格过渡层的材料为晶格常数在0.5656nm‑0.579nm之间且同时禁带宽度Eg满足Eg>1.4eV的III‑V族材料;在晶格过渡层(e)上的第二隧穿结(f);和在第二隧穿结(f)上的InGaAs第三子电池(g)。 |
地址 |
214000 江苏省无锡市宜兴市经济开发区锦程大道11号D7栋 |