具有竖直电荷补偿结构和次表面连接层的半导体装置以及方法

摘要

在一个实施方式中，形成半导体装置，其具有竖直放置的电荷补偿槽、槽控制区和次表面掺杂层。所述竖直放置的电荷补偿槽包含至少一对导电类型相反的半导体层。构造所述槽控制区以提供通常竖直的沟道区域，其将源极区电耦合至所述次表面掺杂层。进一步构造所述次表面掺杂层以将所述沟道的所述漏极端电连接至所述竖直放置的电荷补偿槽。构造主体区以将所述次表面的掺杂层从所述装置的所述表面分离。

主权项

一种半导体装置，包括：半导体材料的主体，其形成有竖直电荷补偿结构并具有主表面，其中所述竖直电荷补偿结构包含至少一个第一导电类型半导体材料的导电层和至少一个第二导电类型半导体材料的补偿层，其中所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；第二导电类型的主体区，在与所述竖直电荷补偿结构邻近的半导体材料的所述主体中形成；第一导电类型的源极区，在邻近所述主体区处形成；槽控制结构，在所述源极区和所述主体区邻近处形成，其中所述源极区被插入在所述槽控制结构和所述竖直电荷补偿结构之间，其中构造所述槽控制结构以在所述主体区内形成沟道区；和第一导电类型的掺杂区，被形成为与所述主表面间隔开并且位于所述主体区的下面，并且从所述沟道区的漏极端延伸至所述至少一个导电层。