| 发明名称 | 掺Bi碱土硼酸盐晶体及其制备方法和应用 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种掺Bi碱土硼酸盐晶体及其制备方法和应用，属于光学晶体领域。本发明的掺Bi碱土硼酸盐晶体中，碱土金属为Ca、Sr、Ba；Bi离子掺杂浓度为0.1at％～6.0at％。本发明还进一步公开了掺Bi碱土硼酸盐晶体的制备与应用。本发明的掺Bi碱土硼酸盐晶体在近红外区域具有非常宽的发射光谱，可应用于波长可调谐或超短脉冲激光器。 | ||
| 申请公布号 | CN101705518B | 申请公布日期 | 2013.03.13 |
| 申请号 | CN200910151678.9 | 申请日期 | 2009.07.16 |
| 申请人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明人 | 苏良碧;徐军;李红军;周朋;喻军 |
| 分类号 | C30B29/22(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I;C30B33/04(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 许亦琳;余明伟 |
| 主权项 | 一种掺Bi碱土硼酸盐晶体，所述掺Bi碱土硼酸盐晶体中的碱土金属为Ca或Sr或Ba，Bi离子掺杂浓度为0.1at％～6.0at％，其特征在于，掺入Bi离子的同时掺入Y3+或La3+或Zr4+或Si4+，掺入Y3+或La3+或Zr4+或Si4+的比例为Bi离子浓度的0.1～4.5倍。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区定西路1295号 | ||