发光二极管结构

摘要

本发明涉及一种发光二极管结构，用以增加电流的扩散程度，改善发光效率；所述发光二极管结构于N型半导体层之间再添加一N型电流扩散层，用以使流经N型半导体层的电流均匀分布；其中，N型电流扩散层包含三层以上的子层，其通式为InxAlyGa(1-x-y)N(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)，并自基板侧朝发光层侧依次由低能隙层叠至高能隙。

主权项

一种发光二极管结构，其特征在于，其包含：一基板(21)；一N型半导体层(22)，形成于所述基板(21)上；一发光层(24)，形成于所述N型半导体层(22)上；一P型半导体层(25)，形成于所述发光层(24)上；一电极(28)，设于所述N型半导体层(22)的一外露平面(220)上，与所述外露平面(220)形成一接面；其中，所述N型半导体层(22)于所述接面之上还包含至少一个N型电流扩散层(23)，用以使流经N型半导体层(22)的电流均匀分布；所述N型电流扩散层(23)包含三层以上的子层，所述子层的通式为InxAlyGa(1‑x‑y)N  (0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)，并自所述基板(21)侧朝所述发光层(24)侧依次由低能隙层叠至高能隙。