发明名称 | 石墨烯的图形化方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种在衬底上开具沟槽,再利用这些沟槽对石墨烯进行图形化的方法。该方法包括如下步骤:利用微加工技术中的深反应离子刻蚀、微切割技术或湿法腐蚀在衬底上制作出以沟槽为边界的图形结构;将无支撑的大面积石墨烯薄膜从溶液中转移到具有沟槽的图形化衬底上;烘干衬底与石墨烯,利用溶液的表面张力使沟槽区域的石墨烯断裂,得到所需要的图形化石墨烯。该方法可以在衬底上精准确定图形化石墨烯的位置,并且无需对石墨烯进行光刻刻蚀等处理,避免了对石墨烯晶格质量造成损害,解决以往石墨烯图形化过程中成本高、定位难、易受污染等问题。 | ||
申请公布号 | CN102263013B | 申请公布日期 | 2013.03.13 |
申请号 | CN201110218695.7 | 申请日期 | 2011.08.01 |
申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 李铁;王文荣;王跃林 |
分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 李仪萍 |
主权项 | 石墨烯的图形化方法,其特征在于,包括以下步骤:1)在衬底上制作出沟槽形成所需图形;所述步骤1)中的衬底为硅片、氧化硅片、陶瓷、玻璃或SOI片;所述步骤1)中沟槽是采用深反应离子刻蚀、微切割技术或湿法腐蚀方法形成;2)制备大面积石墨烯薄膜并转移到溶液中;3)将石墨烯薄膜从溶液中转移到具有沟槽图形的衬底上;4)烘干直至石墨烯薄膜在沟槽上断裂,从而得到所需要的图形化石墨烯。 | ||
地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号 |