半导体装置

摘要

提供一种将Si-FRD的阳极和Si-SBD的阴极串联连接的半导体装置。在Si-FRD中存在释放被积累的电荷量Qrr为止的时间即反向恢复时间trr长的问题，要消除该问题，却存在正向电压VF增高的问题。Si-SBD作为器件本身的特性，反向恢复时间短，但要实现高击穿电压的器件，正向电压VF变得非常大。即无论是Si-FRD、Si-SBD，VF-trr特性都处于折中的关系。相对于此，SiC-SBD的正向电压VF低且反向恢复时间trr也短，因此能够改善VF-trr特性。但是SiC-SBD的价格非常贵。Si-SBD的结电容可累积的电荷量是Si-FRD在反向恢复时产生的电荷量的同等以上。Si-SBD与S-FRD相比，击穿电压变低。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，包括：pn结二极管；以及肖特基势垒二极管，所述pn结二极管的阳极和所述肖特基势垒二极管的阴极串联连接，所述肖特基势垒二极管的结电容可累积的电荷量为所述pn结二极管在反向恢复时产生的电荷量同等以上。