| 发明名称 | 一种实时确定牺牲层腐蚀时间的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种实时确定牺牲层腐蚀时间的方法，其步骤包括：采用表面牺牲层工艺在基片上制作牺牲层和MEMS器件的结构层；在所述结构层上淀积金属层；湿法腐蚀所述牺牲层，通过观测所述金属层中金属的脱落情况确定腐蚀完成时间。本发明可以通过肉眼观测的方式，非接触非破坏地确定牺牲层腐蚀时间，能够提高MEMS工艺质量和成品率。 | ||
| 申请公布号 | CN102963861A | 申请公布日期 | 2013.03.13 |
| 申请号 | CN201210450745.9 | 申请日期 | 2012.11.12 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 赵丹淇;张大成;何军;黄贤;杨芳;田大宇;刘鹏;王玮;李婷;罗葵 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人 | 余长江 |
| 主权项 | 一种实时确定牺牲层腐蚀时间的方法，其步骤包括：1）采用表面牺牲层工艺在基片上制作牺牲层和MEMS器件的结构层；2）在所述结构层上淀积金属层；3）湿法腐蚀所述牺牲层，通过观测所述金属层中金属的脱落确定腐蚀完成时间。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号北京大学 | ||