发明名称 具有BA温度特性的钛酸镁系微波介质材料及其制备方法
摘要 本发明提供了一种具有BA温度特性的钛酸镁系微波介质材料及其制备方法,涉及电子信息材料与元器件技术领域,具体的具有BA温度特性的钛酸镁系微波介质材料包括70-86%摩尔的MgTiO3,8-14%摩尔的Mg2SiO4,2-10%摩尔的掺杂元素和2-14%摩尔的LMZBS助熔剂。本发明所要解决的技术问题是提供一种具有BA温度特性的钛酸镁系微波介质材料及其制备方法,使得陶瓷能够在较低温度烧结下,能够保持高品质因素,良好可靠性的同时,拥有稳定的温度系数。
申请公布号 CN102964121A 申请公布日期 2013.03.13
申请号 CN201210533462.0 申请日期 2012.12.11
申请人 北京元六鸿远电子技术有限公司 发明人 陈仁政;杨喻钦;李凯
分类号 C04B35/465(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;C04B35/63(2006.01)I 主分类号 C04B35/465(2006.01)I
代理机构 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 代理人 夏静洁
主权项 一种具有BA温度特性的钛酸镁系微波介质材料,其特征在于,包括:70‑86%摩尔的MgTiO3,8‑14%摩尔的Mg2SiO4,2‑10%摩尔的掺杂元素和2‑14%摩尔的LMZBS助熔剂。
地址 102600 北京市大兴区生物医药基地天贵街1号
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