成膜装置及其使用方法

摘要

本发明提供一种成膜装置及其使用方法。成膜装置的使用方法在反应室内以主清洁处理和后清洁处理这样的顺序进行主清洁处理和后清洁处理。主清洁处理一边对反应室内进行排气、一边将含氟的清洁气体供给到反应室内从而对含硅的成膜副生成物进行蚀刻。后清洁处理为了去除由主清洁处理产生且残留在反应室内的含硅氟化物，交替地反复多次进行以下2个工序：①将氧化气体供给到反应室内而来氧化含硅氟化物从而将其转换成中间生成物的工序，以及②一边对反应室内进行排气、一边将氟化氢气体供给到反应室内来使该氟化氢气体与中间生成物发生反应而去除该中间生成物的工序。

主权项

一种成膜装置的使用方法，其用于在反应室内进行在被处理基板上形成含硅的薄膜的成膜处理，其中，为了去除由上述成膜处理产生且附着在上述反应室内的含硅的成膜副生成物，上述使用方法在未收纳上述被处理基板的上述反应室内以主清洁处理和后清洁处理这样的顺序进行主清洁处理和后清洁处理；上述主清洁处理被设定成一边对上述反应室内进行排气、一边将含氟的清洁气体供给到上述反应室内来对上述成膜副生成物进行蚀刻；上述后清洁处理被设定成为了去除由上述主清洁处理产生且残留在上述反应室内的含硅氟化物，交替地反复多次进行以下2个工序：将氧化气体供给到上述反应室内来氧化上述含硅氟化物从而将其转换成中间生成物的工序；一边对上述反应室内进行排气、一边将氟化氢气体供给到上述反应室内来使该氟化氢气体与上述中间生成物进行反应而去除该中间生成物的工序。