| 发明名称 | 化合物半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供能够与化合物半导体元件的动作无关地防止漏电流的化合物半导体装置及其制造方法。化合物半导体装置(1)具有：第1化合物半导体层(31)，其具有2DEG(310)；第2化合物半导体层(32)，其配置在第1化合物半导体层(31)上，作用为载流子供给层；化合物半导体元件(10)以及外周区域(11)，该化合物半导体元件(10)具有：第1电极(61)，其配置在2DEG(310)上；以及第2电极(42)，其在2DEG(310)上与第1电极(61)分开配置，该外周区域(11)在包围化合物半导体元件(10)的周围的区域的一部分中，配置在2DEG(310)上，具有降低该2DEG(310)的载流子浓度的外周电极(62)。 | ||
| 申请公布号 | CN102097467B | 申请公布日期 | 2013.03.13 |
| 申请号 | CN201010578769.3 | 申请日期 | 2010.12.08 |
| 申请人 | 三垦电气株式会社 | 发明人 | 金子信男 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 李辉;黄纶伟 |
| 主权项 | 一种化合物半导体装置，其特征在于，该化合物半导体装置具有：第1化合物半导体层，其具有二维载流子气沟道；第2化合物半导体层，其配置在所述第1化合物半导体层上，作用为载流子供给层；化合物半导体元件，其具有：第1电极，其配置在所述二维载流子气沟道上；以及第2主电极，其在所述二维载流子气沟道上与所述第1电极分开配置，以及外周区域，其在包围所述化合物半导体元件的周围的区域的一部分中，配置在所述二维载流子气沟道上，并具有降低该二维载流子气沟道的载流子浓度的外周电极。 | ||
| 地址 | 日本埼玉县 | ||