薄膜晶体管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法。具体而言，薄膜晶体管可以包括：栅绝缘层；形成在栅绝缘层上的栅电极；形成在栅绝缘层上的沟道层；以及接触沟道层的源和漏电极。沟道层可以具有包含上层和下层的双层结构。上层可以具有比下层低的载流子浓度。一种晶体管的制造方法可以包括：在衬底上形成沟道层；在衬底上形成源和漏电极；在衬底上形成栅绝缘层；以及在沟道层上方的栅绝缘层上形成栅电极。一种晶体管的制造方法可以包括：在衬底上形成栅电极；在衬底上形成栅绝缘层；在栅绝缘层上形成沟道层；以及在栅绝缘层上形成源和漏电极。

主权项

一种薄膜晶体管，其包括：栅绝缘层；形成在所述栅绝缘层的底侧上的栅电极；形成在所述栅绝缘层的顶侧上的沟道层；接触所述沟道层的第一部分的源电极；以及接触所述沟道层的第二部分的漏电极；其中所述沟道层具有包括上层和下层的双层结构，其中所述上层具有低于所述下层的载流子浓度，并且其中所述上层掺杂有载流子受主和所述下层没有掺杂载流子受主，使得所述上层的电阻高于所述下层的电阻。