一种发光二极管的制备方法

摘要

本发明提供一种LED的制备方法，属于光电子器件的制备领域。该方法包括如下步骤：在衬底上形成由碳纳米管与InN或高In组分的InGaN外延层材料组成的过渡层；在上述过渡层上生长LED外延片；对LED外延片进行光刻、刻蚀、沉积电极、封装工艺，制备正装结构LED；或转移衬底，对衬底进行激光剥离、分离，再进行光刻、刻蚀、沉积电极、封装工艺，制备垂直结构LED。本发明不仅可以改善晶体质量，而且可以实现应力的调控。

主权项

一种LED的制备方法，具体包括如下步骤：1)在衬底上形成过渡层，所述过渡层由碳纳米管与InN或高In组分的InGaN外延层材料组成；2)在上述过渡层上生长LED外延片；采用金属有机化学气相沉积法MOCVD、分子束外延MBE或氢化物气相外延方法HVPE，依次生长高温GaN薄膜、n型GaN层、量子阱结构及p型GaN层，所述n型GaN层的厚度在500纳米‑3微米，n型载流子采用硅元素掺杂，电子浓度为1017‑1020cm‑3，若采用MOCVD生长，温度范围在1000‑1100℃，压力在50‑700Torr，若采用MBE生长，温度为700‑900℃；3)对LED外延片进行光刻、刻蚀、沉积电极、封装工艺，制备正装结构LED；或转移衬底，对衬底进行分离，将原有衬底与LED层剥离，再进行光刻、刻蚀、沉积电极、封装工艺，制备垂直结构LED。