发明名称 一种减少多晶硅制绒暗纹的制绒方法
摘要 本发明公开了一种减少多晶硅制绒暗纹的制绒方法,包括将多晶硅片放入含有腐蚀液的制绒槽进行制绒,所述腐蚀液包括组分HNO3、HF和缓和剂,所述缓和剂为0.02~0.03wt%的NH4F去离子水溶液,所述HNO3、HF和NH4F溶液体积比为5:1:(0.02~0.03)。本发明与现有制绒工艺相比,工艺操作简单,而且与工业通用制绒工艺具有很好的适用性;可显著减少表面制绒暗纹,硅片制绒后扩散面反射率降低0.3~1.5%;减薄量降低0.03~0.04g/片,电池转化效率提高0.13~0.15%。
申请公布号 CN102969397A 申请公布日期 2013.03.13
申请号 CN201210453579.8 申请日期 2012.11.13
申请人 国电光伏(江苏)有限公司 发明人 王敬蕊;蔡晓晨;陈锐
分类号 H01L31/18(2006.01)I;C30B33/10(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人 柏尚春
主权项 一种减少多晶硅制绒暗纹的制绒方法,包括将多晶硅片放入含有腐蚀液的制绒槽进行制绒,其特征在于:所述腐蚀液包括组分HNO3、HF和缓和剂,所述缓和剂为0.02~0.03wt%的NH4F去离子水溶液,所述HNO3、HF和NH4F溶液体积比为5:1:(0.02~0.03)。
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