| 发明名称 | 一种III-V族半导体纳米线阵列场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种III-V族半导体纳米线阵列场效应晶体管，包括：单晶衬底层；在该单晶衬底层上形成的III-V半导体缓冲层；在该III-V半导体缓冲层上形成的第一欧姆接触层；在该第一欧姆接触层上形成的第一高迁移率半导体沟道层；在该第一高迁移率半导体沟道层上形成的第二欧姆接触层；在该第二欧姆接触层上形成的第二高迁移率半导体沟道层；在该第二高迁移率半导体沟道层上形成的第三欧姆接触层；在纳米尺度有源区选择性腐蚀掉第一欧姆接触层、第二欧姆接触层和第三欧姆接触层形成的III-V族半导体纳米线阵列；在该III-V半导体纳米线阵列上形成的环形高K介质和功函数金属层；以及在该高K介质和功函数金属层上形成的栅金属电极。 | ||
| 申请公布号 | CN102969360A | 申请公布日期 | 2013.03.13 |
| 申请号 | CN201210545473.0 | 申请日期 | 2012.12.14 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 刘洪刚;常虎东;薛百清;王虹 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种III‑V族半导体纳米线阵列场效应晶体管，其特征在于，包括：单晶衬底层(101)；在该单晶衬底层(101)上形成的III‑V半导体缓冲层(102)；在该III‑V半导体缓冲层(102)上形成的第一欧姆接触层(103)；在该第一欧姆接触层(103)上形成的第一高迁移率半导体沟道层(104)；在该第一高迁移率半导体沟道层(104)上形成的第二欧姆接触层(105)；在该第二欧姆接触层(105)上形成的第二高迁移率半导体沟道层(106)；在该第二高迁移率半导体沟道层(106)上形成的第三欧姆接触层(107)；利用干法或湿法腐蚀刻蚀出纳米尺度有源区，利用选择性腐蚀和干法刻蚀在该纳米尺度有源区选择性腐蚀掉第一欧姆接触层、第二欧姆接触层和第三欧姆接触层形成的III‑V族半导体纳米线阵列；在该III‑V半导体纳米线阵列上形成的环形高K介质和功函数金属层(108)；以及在该高K介质和功函数金属层(108)上形成的栅金属电极(109)。 | ||
| 地址 | 100083 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||