发明名称 | 一种亲疏水性可调谐柔性碳化硅薄膜制备方法 | ||
摘要 | 一种亲疏水性可调谐柔性碳化硅薄膜制备方法,采用优化深反应离子刻蚀(DRIE)工艺,无需掩膜实现高密度纳米碳化硅球状阵列,极大增大表面面积体积比;同时由于优化DRIE工艺中钝化步骤在表面淀积的氟碳聚合物,极大降低表面能,则所制备碳化硅材料具有超疏水特性,静态接触角CA>160°;再通过强碱性溶液腐蚀去除硅基底,则能够实现柔性碳化硅薄膜;且由于强碱性溶液腐蚀去除表面聚合物钝化层,形成裸露高密度碳化硅尖端阵列,则所制备柔性碳化硅薄膜具有超亲水特性,静态接触角CA<1°。本发明工艺简单、成本低、产率高、可批量生产,首次实现了超疏水和超亲水可控的碳化硅材料,且为柔性薄膜材料,具有广阔的应用前景和实用价值。 | ||
申请公布号 | CN102963863A | 申请公布日期 | 2013.03.13 |
申请号 | CN201210532035.0 | 申请日期 | 2012.12.11 |
申请人 | 北京大学 | 发明人 | 张海霞;张晓升;孟博;朱福运;唐伟 |
分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
代理机构 | 北京市商泰律师事务所 11255 | 代理人 | 毛燕生 |
主权项 | 一种亲疏水性可调谐柔性碳化硅薄膜制备方法,其特征是:采用优化深反应离子刻蚀(DRIE)工艺,无需掩膜实现高密度纳米碳化硅球状阵列,极大增大表面面积体积比;同时由于优化DRIE工艺中钝化步骤在表面淀积的氟碳聚合物,极大降低表面能,则所制备碳化硅材料具有超疏水特性,静态接触角CA>160°;再通过强碱性溶液腐蚀去除硅基底,则能够实现柔性碳化硅薄膜;且由于强碱性溶液腐蚀去除表面聚合物钝化层,形成裸露高密度碳化硅尖端阵列,则所制备柔性碳化硅薄膜具有超亲水特性,静态接触角CA<1°。 | ||
地址 | 100871 北京市海淀区中关村颐和园路5号 |