发明名称 利用薄膜半导体材料的薄膜晶体管
摘要 本发明大体上包含具有半导体材料的薄膜晶体管(TFT),所述半导体材料包含氧、氮及一或多个选自于由锌、锡、镓、镉和铟所构成的群组中的元素以作为有源沟道。该半导体材料可用于底栅TFT、顶栅TFT和其他类型的TFT中。通过蚀刻来图案化TFT可形成沟道和金属电极。接着,使用该半导体材料当作蚀刻终止层来执行干法蚀刻而限定出源极/漏极。有源层的载流子浓度、迁移率以及与TFT其他层的界面可调整成预定值。调整方式可为改变含氮气体与含氧气体的流量比例、退火及/或等离子体处理所沉积的半导体膜,或是改变铝掺杂浓度。
申请公布号 CN101803028B 申请公布日期 2013.03.13
申请号 CN200880106291.5 申请日期 2008.08.01
申请人 应用材料公司 发明人 叶洋
分类号 H01L29/04(2006.01)I 主分类号 H01L29/04(2006.01)I
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人 徐金国;钟强
主权项 一种薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包含:在薄膜晶体管中的半导体层,所述半导体层包含氮氧化物,所述氮氧化物包含氧、氮以及一或多个选自于由锌、铟、锡、镉、镓和上述元素的组合所构成的群组中的元素。
地址 美国加利福尼亚州