发明名称 磷酸氧钛钾晶体CMP抛光液的制备方法
摘要 本发明涉及磷酸氧钛钾(KTiOPO4,简称KTP)晶体表面高精密加工过程中化学机械抛光(CMP)抛光液的制备技术。选用纳米SiO2磨料,磨料的浓度为30-50wt%,粒径15-100nm,制备过程中采用密闭系统下负压搅拌制备法,避免了传统的复配、机械搅拌等制备方法带来的有机物、大颗粒、金属离子等的污染,可以达到超净的要求。由于该方法是在涡流状态下进行搅拌,所以可实现纳米SiO2磨料高浓度、高pH值条件下不凝聚、不溶解,尤其是反应器底部和边缘处。具有成本低、低粗糙、高速率、不污染环境及不腐蚀设备的优点。
申请公布号 CN102010668B 申请公布日期 2013.03.13
申请号 CN201010231938.6 申请日期 2010.07.21
申请人 天津晶岭微电子材料有限公司 发明人 刘玉岭;牛新环;刘钠
分类号 C09G1/02(2006.01)I 主分类号 C09G1/02(2006.01)I
代理机构 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 代理人 闫俊芬
主权项 一种磷酸氧钛钾晶体CMP抛光液的制备方法,其特征在于,按照以下步骤进行,以下成分以重量百分比计:(1)将密闭反应器系统用去离子水负压涡流下清洗三遍;密闭反应器原材料选用无污染的聚丙烯、聚乙烯或聚甲基丙烯酸甲酯;(2)在负压涡流状态下逐渐加入胺碱调节pH值,加入胺碱的量为1‑5%,无机强碱试剂用18MΩ以上超纯水稀释后在负压涡流状态下逐渐吸入,加入无机强碱的量为0.1‑1%,以使pH值为9‑13; (3)在负压涡流状态下逐渐加入天津晶岭微电子材料有限公司销售的FA/O活性剂,加入FA/O活性剂的量为0.25‑2%;持续时间15分钟;(4)在负压涡流状态下逐渐加入天津晶岭微电子材料有限公司销售的FA/O螯合剂,加入FA/O螯合剂的量为0.25‑2%;  (5)将纳米SiO2溶胶用负压吸入反应器内并呈涡流状态,所述溶胶是粒径15~100nm、分散度<0.001、莫氏硬度7的SiO2溶胶,浓度30~50wt%;(6)充分搅拌,搅拌时间为5‑15分钟,均匀后进行灌装;上述各重量百分比均以最后得到的抛光液为基准;上述天津晶岭微电子材料有限公司销售的FA/O活性剂为聚氧乙烯醚,是(C15H15~19O (CH2CH20)5H)、(C20H15~19O (CH2CH20)5H)、(C40H15~19O (CH2CH20)5H)的复合物;上述天津晶岭微电子材料有限公司销售的FA/O螯合剂为乙二胺四乙酸四(四羟乙基乙二胺)。
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