本征层为碳锗薄膜的太阳能电池的制备方法

摘要

本征层为碳锗薄膜的太阳能电池的制备方法，涉及一种太阳能电池及其制备方法。本发明要解决现有以非晶硅材料为本征层存在带隙较宽、吸收系数偏小的问题。太阳能电池包括透明衬底(1)、透明导电薄膜(2)、P型窗口层(3)、本征层(4)和N型层(5)。方法：将透明衬底(1)上镀上透明导电薄膜(2)；在透明导电薄膜(2)上镀上P型窗口层(3)；清洗、加热、保温，通入氩气，反溅清洗；制备本征层(4)；制备N型层(5)，即完成本征层为碳锗薄膜的太阳能电池的制备。本发明太阳能电池结构新颖，制备工艺简单、易操作；本征层为碳锗薄膜，具有窄带隙，光学吸收较大的优点，可提高太阳能电池的光电转化效率。用于太阳能电池领域。

主权项

本征层为碳锗薄膜的太阳能电池的制备方法，其特征在于本征层为碳锗薄膜的太阳能电池的制备方法，按以下步骤进行：一、将透明衬底(1)上镀上透明导电薄膜(2)；二、在透明衬底(1)上的透明导电薄膜(2)上镀上P型窗口层(3)；三、将带有透明导电薄膜(2)和P型窗口层(3)的透明衬底(1)用丙酮超声波清洗15～30分钟，再用质量百分比浓度为99.5％的乙醇溶液清洗15～30分钟，最后用去离子水清洗15～30分钟；四、将经过步骤三处理的带有透明导电薄膜(2)和P型窗口层(3)的透明衬底(1)在真空度为1.0×10‑4～9.9×10‑4帕的条件下，加热至25～700℃，然后保温10～120分钟后通入氩气，再在压强为3～5帕的条件下，对P型窗口层(3)的上表面进行反溅清洗10～20分钟；五、在石墨靶上的溅射功率为60～200瓦、锗靶上的溅射功率为60～200瓦、气体流量为10～50毫升/分钟的条件下，施加溅射功率启辉，预溅射3～5分钟至压强降至0.1～2帕，然后在脉冲负偏压为0～‑200伏、占空比为10～90％的条件下，对经过步骤四处理的P型窗口层(3)上表面镀膜，然后在真空条件下自然冷却至室温，即在P型窗口层(3)的上表面上得到本征层(4)；六、在本征层(4)上镀上N型层(5)，即完成本征层为碳锗薄膜的太阳能电池的制备。