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发明名称 Process for manufacturing a dual charge storage location memory cell
摘要
申请公布号 EP1300888(B1) 申请公布日期 2013.03.13
申请号 EP20010830634 申请日期 2001.10.08
申请人 STMICROELECTRONICS SRL 发明人 CAPRARA, PAOLO;BRAMBILLA, CLAUDIO;CEREDA, MANLIO SERGIO
分类号 H01L21/8247;H01L29/792;H01L21/336;H01L21/8246;H01L27/115;H01L29/788 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
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