| 发明名称 | 多晶硅电阻器结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种多晶硅电阻器结构及其制造方法。一种多晶硅电阻器结构制造方法包括：第一步骤，用于在硅片中形成隔离区；第二步骤，用于在隔离区上形成第一多晶硅层及其侧壁；第三步骤，用于在第一多晶硅层的顶部形成隔离物，其中隔离物不覆盖第一多晶硅层的两端的顶部；第四步骤，用于在隔离物上形成第二多晶硅层，其中第二多晶硅层不覆盖第一多晶硅层的两端的顶部；第五步骤，用于以第二多晶硅层为掩膜进行离子注入，以便在第一多晶硅层的暴露的两端的表面形成金属硅化物，并且使第一多晶硅层的未暴露的部分的表面不形成金属硅化物。 | ||
| 申请公布号 | CN102969228A | 申请公布日期 | 2013.03.13 |
| 申请号 | CN201210507576.8 | 申请日期 | 2012.11.30 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 江红 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L23/64(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种多晶硅电阻器结构制造方法，其特征在于包括：第一步骤，用于在硅片中形成隔离区；第二步骤，用于在隔离区上形成第一多晶硅层以及第一多晶硅层的侧壁；第三步骤，用于在第一多晶硅层的顶部形成隔离物，其中隔离物不覆盖第一多晶硅层的两端的顶部；第四步骤，用于在隔离物上形成第二多晶硅层，其中第二多晶硅层不覆盖第一多晶硅层的两端的顶部；第五步骤，用于以第二多晶硅层为掩膜进行离子注入，以便在第一多晶硅层的暴露的两端的表面形成金属硅化物，并且使第一多晶硅层的未暴露的部分的表面不形成金属硅化物。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 | ||