发明名称 |
氮化镓基3D垂直结构发光二极管的制作方法 |
摘要 |
一种氮化镓基3D垂直结构发光二极管的制作方法,包括:在衬底上依次生长N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层;减薄衬底;步骤3:在ITO层上面蒸度氧化硅保护膜;在衬底背面蒸度二氧化硅膜,并做出图形,腐蚀掉二氧化硅膜,形成外延片;刻蚀掉衬底上一侧的N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层,形成台面;将刻蚀后的外延片衬底放入浓硫酸和浓磷酸混合液中腐蚀,在衬底的背面腐蚀出沟槽;用激光器在台面上打通孔;在衬底上的N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层的侧壁及通孔的侧壁制作绝缘层;在绝缘层上制作导电层,该导电层便覆盖部分ITO层;在ITO层的中心处制作P型电极,该P型电极与导电层连接;在衬底背面蒸度N电极,完成制备。 |
申请公布号 |
CN102969411A |
申请公布日期 |
2013.03.13 |
申请号 |
CN201210505932.2 |
申请日期 |
2012.11.30 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
谢海忠;张扬;杨华;李璟;刘志强;伊晓燕;王军喜;王国宏;李晋闽 |
分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
汤保平 |
主权项 |
一种氮化镓基3D垂直结构发光二极管的制作方法,包括以下步骤:步骤1:在衬底上依次生长N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层;步骤2:减薄衬底;步骤3:在ITO层上面蒸度氧化硅保护膜;步骤3:在衬底背面蒸度二氧化硅膜,并做出图形,腐蚀掉二氧化硅膜,形成外延片;步骤4:刻蚀掉衬底上一侧的N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层,形成台面;步骤5:将刻蚀后的外延片衬底放入浓硫酸和浓磷酸混合液中腐蚀,在衬底的背面腐蚀出沟槽;步骤6:用激光器在台面上打通孔;步骤7:在衬底上的N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层的侧壁及通孔的侧壁制作绝缘层;步骤8:在绝缘层上制作导电层,该导电层便覆盖部分ITO层;步骤9:在ITO层的中心处制作P型电极,该P型电极与导电层连接;步骤10:在衬底背面蒸度N电极,完成制备。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |