用于等离子处理腔室的低倾斜度边缘环

摘要

本发明提供用于等离子处理腔室中的盖环的实施例。一个实施例中，用于等离子处理腔室中的盖环包括环形主体，所述环形主体由含钇(Y)材料制成。主体包括底面，所述底面具有内定位环与外定位环。内定位环比外定位环自主体延伸更远。主体包括内径壁，所述内径壁具有主要壁与次要壁，所述主要壁与次要壁由实质水平岸部分隔。主体还包括顶表面，所述顶表面具有外倾斜顶表面，所述外倾斜顶表面与内倾斜表面会合于尖端。内倾斜表面与垂直于主体的中线的线之间所界定的角度小于约70度。

主权项

一种用于等离子处理腔室中的盖环，所述盖环包括：环形主体，所述环形主体由含钇(Y)材料所制成，所述主体包括：底面，所述底面具有内定位环与外定位环，所述内定位环比所述外定位环自所述主体延伸更远，所述内定位环具有内壁，所述内壁面对所述环形主体的中线；内径壁，所述内径壁具有主要壁与次要壁，所述主要壁与次要壁由实质水平岸部所分隔，所述次要壁具有大于所述主要壁而小于所述内定位环的内壁的直径；及顶表面，所述顶表面具有实质水平主要顶表面、实质水平内顶表面与实质水平岸部，所述主要顶表面配置于所述内顶表面外侧与上方，所述内顶表面配置于所述岸部外侧与上方。