一种氮化物LED外延片及其生长方法

摘要

一种氮化物LED结构及生长方法，涉及半导体光电技术领域，其结构自下而上依次为衬底、低温缓冲层、非故意掺杂GaN、N型电子注入层、InGaN/GaN插入层、有源区、电子阻挡层、u-GaN/p-GaN超晶格、p-GaN空穴注入层。在N型电子注入层和有源区之间生长InGaN/GaN插入层有效缓解了有源区的应力，降低极化电场，减小量子阱限制斯塔克效应，提高亮度和抗静电特性；在电子阻挡层和P型空穴注入层之间插入u-GaN/p-GaN超晶格，提高了电流扩展能力，降低芯片工作电压。

主权项

一种氮化物LED外延片，包括N型电子注入层、P型空穴注入层以及夹在所述N型电子注入层和P型空穴注入层之间的多量子阱有源区，且在所述多量子阱有源区和所述P型空穴注入层之间包含一电子阻挡层，其特征在于，在所述N型电子注入层和多量子阱有源区之间设置1～50对N型InGaN/GaN插入层，且在所述电子阻挡层和P型空穴注入层之间设置1～50对P型u‑GaN/p‑GaN超晶格层。