发明名称 |
一种绒面黑硅材料的制备方法 |
摘要 |
本发明提供了一种绒面黑硅材料的制备方法,包括粗糙工艺步骤和之后的黑硅层制备步骤,所述粗糙工艺步骤包括以下步骤:将聚苯乙烯颗粒小球分散在水中,在水面上形成单层小球膜;通过捞膜的方法将所述单层小球膜附着于硅片上;对附着有单层聚苯乙烯小球膜的硅片表面进行反应离子刻蚀,使在硅片上形成周期性的微结构。根据本发明的制备方法,可以在硅衬底上得到绒面结构的黑硅材料,可以广泛应用于太阳能电池及光电效应器件的制备。 |
申请公布号 |
CN102400227B |
申请公布日期 |
2013.03.13 |
申请号 |
CN201110146276.7 |
申请日期 |
2011.11.22 |
申请人 |
深圳光启高等理工研究院;深圳光启创新技术有限公司 |
发明人 |
刘若鹏;赵治亚;缪锡根;张贤高 |
分类号 |
C30B33/12(2006.01)I |
主分类号 |
C30B33/12(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种绒面黑硅材料的制备方法,包括粗糙工艺步骤和之后的黑硅层制备步骤,其特征在于,所述粗糙工艺步骤包括以下步骤:将聚苯乙烯小球颗粒分散在水中,在水面形成单层聚苯乙烯小球膜;通过捞膜的方法将所述单层聚苯乙烯小球膜附着于硅片上;对附着有单层聚苯乙烯小球膜的硅片表面进行反应离子刻蚀,直至单层聚苯乙烯小球膜被完全刻蚀时停止所述反应离子刻蚀,使硅片上形成周期性的微结构。 |
地址 |
518000 广东省深圳市南山区高新区中区高新中一道9号软件大厦 |