| 发明名称 | 硅晶片及其制备方法 | ||
| 摘要 | 问题提供了由具有氧化膜的优异耐压特性和高C模式特性的硅晶体构成的硅晶片。另外，提供了用于制备所述硅晶片的方法。解决方案具有氮和氢的硅晶片，其特征在于：相对于总的空隙数，存在等于或多于50％构成泡状空隙聚集体的多个空隙；空隙密度大于2x104/cm3且低于1x105/cm3的V1区占硅晶片总面积的等于或小于20％；空隙密度为5x102-2x104/cm3的V2区占硅晶片总面积的等于或多于80％；并且内部微缺陷的密度为等于或高于5x108/cm3。 | ||
| 申请公布号 | CN101768776B | 申请公布日期 | 2013.03.13 |
| 申请号 | CN200910221758.7 | 申请日期 | 2009.11.16 |
| 申请人 | 硅电子股份公司 | 发明人 | 中居克彦;碇敦;大久保正道 |
| 分类号 | C30B29/06(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 程大军 |
| 主权项 | 一种包含氮和氢的硅晶片，其特征在于：相对于总的空隙数，存在等于或多于50％的构成泡状空隙聚集体的多个空隙；空隙密度大于2×104/cm3且低于1×105/cm3的V1区占所述硅晶片总面积的等于或小于20％；空隙密度为5×102‑2×104/cm3的V2区占所述硅晶片总面积的等于或多于80％；并且内部微缺陷的密度为等于或高于5×108/cm3。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||