| 发明名称 | 半导体外延衬底、化合物半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体外延衬底、化合物半导体器件及其制造方法。其中该半导体外延衬底包括：单晶衬底；AlN层，在所述单晶衬底上外延生长；以及氮化物半导体层，在所述AlN层上外延生长，其中，所述AlN层和所述氮化物半导体层之间的界面的粗糙度比所述单晶衬底和所述AlN层之间的界面的粗糙度大。AlN层上表面的斜度为正值。本发明能够快速恢复漏极电流。 | ||
| 申请公布号 | CN101276792B | 申请公布日期 | 2013.03.13 |
| 申请号 | CN200810090314.X | 申请日期 | 2008.03.28 |
| 申请人 | 富士通株式会社;日立电线株式会社 | 发明人 | 今西健治;吉川俊英;田中丈士;守谷美彦;乙木洋平 |
| 分类号 | H01L23/00(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 张龙哺 |
| 主权项 | 一种半导体外延衬底，包括：单晶衬底；AlN层，在所述单晶衬底上外延生长；以及氮化物半导体层，在所述AlN层上外延生长，其中，所述AlN层和所述氮化物半导体层之间的界面的粗糙度比所述单晶衬底和所述AlN层之间的界面的粗糙度大，所述AlN层的上表面的粗糙度曲线的斜度Rsk是正值。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||