半导体光电二极管及其制造方法

摘要

一种制造雪崩光电二极管的方法，涉及在雪崩光电二极管层堆叠的上部窗口层中制作凹陷的步骤，使得环绕所述凹陷的壁从凹陷的水平面平滑并逐渐的延伸到窗口层的水平面。进一步，在整个窗口层上扩散掺杂剂，以便在凹陷的底部形成p-n结，以及通过掩埋离子注入法或湿式氧化法围绕着所述凹陷提供第一电隔离区域，以限制电流流向p-n结。围绕光电二极管形成隔离沟槽并通过离子注入所述沟槽形成第二电隔离区域，使得第二电隔离区域延伸越过光电二极管的吸收层。

主权项

一种制造半导体光电二极管的方法，包括：提供半导体衬底；在所述衬底上形成层的堆叠，所述堆叠包括吸收层以及在所述堆叠上部的窗口层；以预定的深度和横向伸展在所述窗口层中形成凹陷，其中，所述凹陷具有横向外围；通过掺杂剂将所述窗口层掺杂，以便在所述窗口层中形成掺杂的子层，其中，在所述窗口层的所述凹陷中的所述堆叠中，所述掺杂的子层与下一层在交界处形成p‑n结，其中，所述p‑n结限定了所述光电二极管的感光区域；通过离子注入或湿式氧化形成环绕所述凹陷的所述外围的第一电隔离区域，其中，所述第一电隔离区域被掩埋在所述掺杂子层的下面，以限制电流流向所述p‑n结；其中，所述凹陷部分具有基本平坦的区域，以及环绕所述凹陷的壁，所述壁平滑并逐渐地从所述凹陷的水平面延伸到所述窗口层表面的水平面，使得在工作时，邻近所述壁的电场强度小于接近以及位于所述凹陷的所述基本平坦的部分的电场强度的200％。