使用早期源极侧升压减少非易失性存储装置中的编程干扰

摘要

在非易失性存储装置中通过使阵列中的未选定NAND串升压而减少编程干扰，使得在所述选定字线的漏极侧上的漏极侧沟道之前使选定字线的源极侧上的源极侧沟道升压。在一种方法中，当所述选定字线为较低或中间字线时使用第一升压模式。在所述第一升压模式中，同时起始所述源极侧和漏极侧沟道的升压。当所述选定字线为较高字线时使用第二升压模式。在所述第二升压模式中，所述源极侧沟道的升压相对于所述漏极侧沟道的所述升压较早地发生。任一升压模式包含隔离电压，所述隔离电压往往使所述源极侧和漏极侧沟道彼此隔离。

主权项

一种用于对NAND型非易失性存储装置进行编程的方法，其包括：使衬底的第一区升压，一组非易失性存储元件至少部分地形成于所述衬底上，所述一组非易失性存储元件与一组字线相关联且包含至少一个与所述一组字线中的选定字线相关联的非易失性存储元件，所述第一区在所述选定字线的源极侧上；以及使所述衬底的在所述选定字线的漏极侧上的第二区升压，其中结合经由所述选定字线对所述至少一个非易失性存储元件的编程而执行所述第一区和第二区的所述升压，且其中所述第一区的升压开始与所述第二区的升压开始之间的延迟随选定字线位置而变化，从而当所述选定字线在所述一组字线的邻近于所述一组非易失性存储元件的漏极侧的第一字线群组中时，所述第一区的所述升压相对于所述第二区的所述升压较早地起始；且当所述选定字线不在所述一组字线的邻近于所述一组非易失性存储元件的所述漏极侧的所述第一字线群组中时，同时起始所述第一区和第二区的所述升压。