| 发明名称 |
Dry etching method of silicon compound film |
| 摘要 |
A silicon compound film is dry etched by parallel-plate type dry etching using an etching gas including at least COF2. |
| 申请公布号 |
US8394686(B2) |
申请公布日期 |
2013.03.12 |
| 申请号 |
US20090555182 |
申请日期 |
2009.09.08 |
| 申请人 |
TOSAKA HISAO;CASIO COMPUTER CO., LTD. |
发明人 |
TOSAKA HISAO |
| 分类号 |
H01L21/00 |
主分类号 |
H01L21/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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