| 摘要 |
本发明提供了一种磊晶生长方法，其中系使用一量子点形成材料而在一磊晶层上形成一量子点，该量子点形成材料具有绝佳的晶格匹配性，且所形成的量子点位于该磊晶层中的一缺陷上，藉以使缺陷转移至透过后续制程所形成之磊晶层中的情形最小化。该方法包括：于一基板上制备一第一磊晶层，该第一磊晶层中形成有一缺陷；于该第一磊晶层上涂布一反界面活性剂；供应一量子点形成材料，其与该第一磊晶层为晶格匹配，藉以形成一量子点于该第一磊晶层上，而该量子点系藉由使该反界面活性剂与该量子点形成材料反应而得；使该量子点因该量子点与该第一磊晶层之间的表面能量差异而移动至该第一磊晶层的一阶部上；以及在该第一磊晶层上生长一第二磊晶层。 |
