| 摘要 |
[课题]提供可共同维持高步骤覆盖性和成膜速率的成膜方法。;[解决手段]于可抽真空的处理容器4内，供给高熔点金属有机原料气体和含氮气体或含矽气体或含碳气体之任一者、或复数所构成的气体，于被处理体之表面形成高熔点金属之氮化、矽化、碳化之任一者、或复数所构成之膜之金属化合物膜薄膜的成膜方法中，交互进行供给前述高熔点金属有机原料气体的步骤和供给前述含氮气体或含矽气体或含碳气体之任一者、或复数所构成之气体的步骤，令前述被处理体的温度维持于前述高熔点金属有机原料之分解开始温度以上之温度。如此，可共同维持高步骤覆盖性和成膜速率。 |
