| 摘要 |
本发明系关于一种形成于一半导体装置(10)中之一或多个金属互连层上的MIM电容。该电容具有一下部板状电极(36)及一上部板状电极(40)。一绝缘体(38)形成于该等板状电极之间。在形成该第一板状电极之前，将一第一绝缘层(28)沈积于一互连层之该金属上。使用一化学机械研磨(CMP)方法平坦化该第一绝缘层(28)。接着将一第二绝缘层(32)沈积于该平坦化第一绝缘层上。该第一板状电极(36)形成于该第二绝缘层(32)上。一绝缘体(38)形成于该第一板状电极上且充当该电容介电质。一第二板状电极(40)形成于该绝缘体(39)上。平坦化该第一绝缘层并将一第二绝缘层沈积于该第一绝缘层上减少疵点且产生一更可靠电容。 |
